Farnell distribuisce le soluzioni per infrastrutture energetiche di onsemi

Farnell ha reso disponibili gli ultimi prodotti EliteSiC di onsemi in carburo di silicio (SiC) altamente ottimizzati di onsemi per soluzioni di infrastrutture energetiche. Questi nuovi dispositivi soddisfano i requisiti prestazionali di nuova generazione grazie alla riduzione delle perdite di commutazione in condizioni reali rispetto alla concorrenza.

L’accelerazione della transizione verso la decarbonizzazione sta spostando la domanda verso l’installazione di un maggior numero di sistemi di infrastrutture energetiche con caricatori rapidi DC (DCFC), inverter solari e sistemi di accumulo di energia a batteria (Bess).

L’adozione di stadi di potenza basati sul carburo di silicio è fondamentale per ridurre le perdite di potenza, aumentare la densità di potenza e ridurre i costi di raffreddamento. La scelta di dispositivi di potenza SiC altamente robusti e costruiti con un’affidabilità di classe infrastrutturale è una parte fondamentale della progettazione di sistemi infrastrutturali energetici robusti e duraturi. I prodotti onsemi possono abbreviare i tempi di sviluppo, superando le norme sulla densità di potenza e riducendo le perdite di potenza.

Le applicazioni tipiche dei dispositivi EliteSiC di onsemi, ora disponibili presso Farnell, includono UPS, convertitori DC/DC, inverter boost, inverter solari, stazioni di ricarica per veicoli elettrici e sistemi di alimentazione industriali. Questi dispositivi sono privi di Pb, di alogenuri e conformi alla normativa RoHS.

I prodotti onsemi ora disponibili a magazzino presso Farnell includono:

EliteSiC Power, a canale N singolo – con caratteristiche quali RDS(on) = 80 m, carica di gate ultra bassa (QG(tot) tipica = 56 nC), bassa capacità di uscita effettiva (Coss tipica = 79 pF), TJ = 175°C e 100% testato in valanga

EliteSiC Mosfet NXH006P120MNF2  – un modulo di potenza contenente un half-bridge Mosfet SiC da 6 m /1200 V e un termistore in un package F2. Le opzioni includono la fornitura con o senza materiale di interfaccia termica (TIM) preapplicato e pin saldabili o a pressione.

Adrian Cotterill, Global Product Segment Lead, Discrete Transistors & WBG di Farnell, ha dichiarato: “Si tratta di un’aggiunta fondamentale al portafoglio di Farnell che garantirà lo sviluppo di sistemi per infrastrutture energetiche utilizzando i componenti di più alto livello e di migliore qualità per i quali onsemi è rinomata. Questi nuovi prodotti SiC altamente ottimizzati soddisfano i requisiti più recenti in termini di prestazioni delle applicazioni finali per le infrastrutture energetiche”.

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