Cree: wafer epitaxial al carburo di silicio da 150 mm 4HN

Cree continua a guidare il mercato delle soluzioni SiC, con la volontà anche di offrire soluzioni per lavorare anche su diametri maggiori; quest’ultima evoluzione, oltre a ridurre i costi, consente l’applicazione anche a quei clienti che già adottano soluzioni da 150 mm di diametro.

Il carburo di silicio è un materiale ad alte prestazioni, utilizzato come semiconduttore per la produzione di una vasta gamma di componenti di illuminazione, elettrici e di comunicazione, tra cui i diodi per le soluzioni a Led, i dispositivi di commutazione dell’energia e i transistor RF per le comunicazioni wireless. I substrate a cristallo singolo al carburo di silicio da 150 mm favoriscono la riduzione dei costi e incrementano la produttività, rafforzando parallelamente la continua crescita delle soluzioni SiC.

“La capacità di Cree di fornire grandi volumi di wafer epitaxial da 100 mm non ha rivali nel settore del SiC e la nostra innovativa tecnologia da 150 mm continua ad aumentare gli standard dei wafer al carburo di silicio – ha affermato Vijay Balakrishna, product manager dei materiali Cree -. Il nostro approccio integrato verticalmente garantisce una soluzione completa di alta qualità di wafer epitassiali da 150 mm al carburo di silicio, per fornire ai nostri clienti dispositivi affidabili e di ultima generazione”.

I wafer epitaxial sono disponibili sul mercato in quantità limitate. Per ulteriori informazioni contattare: materials_sales@cree.com.

Per saperne di più: www.cree.com – www.creeledrevolution.com

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